场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种重要的电子元件，广泛应用于放大器和开关电路中。测量场效应管的参数对于确保电路的正常工作至关重要。本文将介绍几种常见的场效应管测量方法。1. 场效应管的类型场效应管主要分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（IGFET），其中IGFET又以金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）最为常见。2. 场效应管的主要参数场效应管的主要参数包括：栅极漏电流（Idss）、夹断电压（Vp）、栅源电阻（Rgs）、跨导（gm）和输出电阻（ro）。3. 测量方法3.1 栅极漏电流（Idss）的测量测量Idss时，需要将场效应管的源极和漏极短接，然后在栅极和源极之间加上反向电压，测量此时的漏极电流。3.2 夹断电压（Vp）的测量Vp的测量需要在漏极和源极之间加上电压，然后逐渐增加栅极和源极之间的电压，直至漏极电流达到预定的值（一般为Idss的10%）。此时的栅极电压即为夹断电压。3.3 栅源电阻（Rgs）的测量Rgs的测量需要在栅极和源极之间加上电压，然后测量此时的栅极电流，通过欧姆定律计算得到Rgs。3.4 跨导（gm）的测量跨导gm是场效应管放大能力的重要指标。测量gm时，需要保持漏极电流不变，然后改变栅极电压，测量漏极电流的变化量与栅极电压变化量的比值。3.5 输出电阻（ro）的测量ro的测量需要在漏极和源极之间加上电压，然后改变漏极电流，测量漏极电压的变化量与漏极电流变化量的比值。4. 注意事项在测量场效应管时，需要注意以下几点：- 避免超过场效应管的最大电压和电流值。- 测量时保持环境温度稳定，以减小温度对测量结果的影响。- 使用适当的测量仪器，确保测量的准确性。
